Optical heat-insensitive mask for X-ray lithography, and manufacturing process thereof

Abstract

Abstract Translated from German @ Bei herkömmlichen Bestrahlungsmasken für die Röntgenlithographie, die aus einer Trägerschicht und einer einseitig aufgebrachten Absorberstruktur bestehen, findet durch die während der Belichtung auftretende Erwärmung infolge der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten von Träger- und Absorbermaterial eine Verbiegung der Bestrahlungsmaske statt (Bimetalleffekt). Bei der erfindungsgemäßen, thermisch unempfindlichen Bestrahlungsmaske wird dagegen die Absorberstruktur 102, 103 bezüglich ihrer Schichtdicke symmetrisch zur Schichtmitte 106 der Trägerschicht 101 aufgebracht, so daß sich die durch die Erwärmung auftretenden Kräfte hinsichtlich des Biegemomentes selbst kompensieren. @ With conventional radiation masks for X-ray lithography, which consist of a carrier layer and an absorber structure applied on one side, the radiation mask bends due to the heating that occurs during the exposure due to the different thermal expansion coefficients of the carrier and absorber material (bimetal effect). In the case of the thermally insensitive radiation mask according to the invention, however, the absorber structure 102, 103 is applied symmetrically with respect to its layer thickness to the layer center 106 of the carrier layer 101, so that the forces occurring due to the heating compensate themselves with regard to the bending moment.

Inventors

• 👤 Gerhard Dr. Fischer

Bibliographic Details